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聚焦離子束(FIB)顯微鏡裝卸-搬運

2021-02-01  來自: 亞瑟半導體設備安裝(上海)有限公司 瀏覽次數(shù):230

聚焦離子束(FIB)顯微鏡裝卸-搬運我國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè),聚焦離子束(FIB)顯微鏡裝卸-搬運觀察到光刻技術(shù)是繞不開的課題,以國內(nèi)目前薄弱的基礎,短期內(nèi)攻克EUV設備并不現(xiàn)實。對此,實?驗?室?搬?遷?的Arthur指出,高性能光刻技術(shù)對中國企業(yè)來說成本高昂,但是其戰(zhàn)略意義不容忽視。中國要推進完整的光刻工業(yè)體系的發(fā)展,只能采取從低到高的策略,比如193nm深紫外ArF干式光刻機、浸沒式光刻機,以及周邊設備材料等,EUV是整套體系中困難的一塊。要實現(xiàn)強大的功能,EUV就***克服電能消耗以及光源等因素的影響?!敝袊娮涌萍技瘓F公司第四十五研究所集團首席專家柳濱表示,EUV雖然售價超過了一億美元,但是高額的價格并不是問題。

EUV的問題是電能消耗。

其電能消耗是傳統(tǒng)193nm光刻機的10倍,因為極紫外光的波長僅有13.5nm,投射到晶圓表面曝光的強度只有光進入EUV設備光路系統(tǒng)前的2%。

在與7nm成本比較中,7nm的EUV生產(chǎn)效率在80片/小時的耗電成本將是14nm的傳統(tǒng)光刻生產(chǎn)效率在240片/小時的耗電成本的一倍,這還不算設備購置成本和掩膜版設計制造成本。
除了電能以及光源,光刻膠也是EUV技術(shù)另一個需要面對的問題。據(jù)專家介紹,光刻膠本身對于光的敏感度就十分高,但是對于不同波長的光源,光刻膠的敏感度也有差異,這就對EUV光刻機產(chǎn)生了一些要求。光刻機選擇的波長***和光刻膠對應的波長處于同一個波段,這樣才能提升光刻膠對于光源的吸收率,從而地實現(xiàn)化學變化。Arthur實?驗?室?搬?遷?表示,極紫外光刻實?驗?室?搬?遷?但正因如此也存在許多需要改進的空間。因此,國內(nèi)廠商先在DUV等領(lǐng)域站住腳跟,從周邊設備與材料切入,逐步解決產(chǎn)業(yè)中存在的問題,把產(chǎn)業(yè)做扎實,不失為一個有效的策略。


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