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上海實驗室搬運公司

2021-03-27  來自: 亞瑟半導體設備安裝(上海)有限公司 瀏覽次數(shù):198

‌‌上海實驗室搬運公司實‍驗‌室‍搬‌遷‍上海實驗室搬運公司觀察到在2002年5月,上海實驗室搬運公司撰文談到了當時功率半導體領域一項長期發(fā)展的技術(shù):

氮化鎵(GaN)。

在那篇‌‌實‍驗‌室‍搬‌遷‍文章中,他們對氮化鎵在當時新生的寬帶無線網(wǎng)絡,雷達以及電網(wǎng)的電源開關(guān)應用中中的前景表示了樂觀的看法。
他們‌‌實‍驗‌室‍搬‌遷‍是正確的。GaN的寬帶隙(使束縛的電子斷裂并促進傳導所需的能量)和其他品質(zhì)使我們能夠利用這種材料的高電場耐受能力
如今,GaN已成為固態(tài)射頻功率應用領域無可爭議它已經(jīng)出現(xiàn)在雷達,5G無線領域,并很快將在電動汽車中使用的功率逆變器中普及?,F(xiàn)在,您甚至可以隨意購買基于GaN器件設計的USB充電器,在其緊湊的尺寸中,提供了顯著的高功率水平。不過,即使如次,我們還是會問,還有比GaN東西嗎?有什么可以使RF放大器更強大有什么能使電力電子設備進一步縮小,進一步減輕飛機和汽車的負擔嗎?我們能找到帶隙更大但仍可以導電的材料嗎?
事實證明,答案是可以。
其實市場上‌‌實‍驗‌室‍搬‌遷‍具有不過擁有不少帶隙的材料,但是量子力學的特殊性意味著他們當中的大多數(shù)幾乎都不能用作半導體。然而,有一個引人注目的候選:透明的導電氧化物——氧化鎵(Ga2O3)。憑借其在接近5電子伏特的寬帶隙,氧化鎵GaN(3.4eV)一英里,與硅(1.1eV)相比,優(yōu)勢更是大到一個馬拉松。我們知道,金剛石和氮化鋁的帶隙也較大,但它們不具有Ga2O3所具有的特性,這是一組幸運的特性,可用于制造廉價但功能強大的器件。
僅材料具有寬的帶隙是不夠的,因為如果這樣的話,所有電介質(zhì)和陶瓷都可以,這也是它們只能用作絕緣體的原因。但是氧化鎵具有品質(zhì)組合,可以使其非常有用,可作為功率開關(guān)和RF電子設備的材料候選。

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