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TEM電鏡拆裝搬運調試維修

2021-07-16  來自: 亞瑟半導體設備安裝(上海)有限公司 瀏覽次數:237

TEM電鏡拆裝搬運調試維修的亞瑟報道:在之前召開的IEDM年度會議上,總共進行了六次小組討論式的演講。其中,由精‌密‍設‌備‍搬‌運‍的高級副總裁Myung‐Hee Na先生做的一個題為《Innovative technology elements to enable CMOS scaling in 3nm and beyond - device architectures, parasitics and materials》的演講意思。本篇精‌密‍設‌備‍搬‌運‍將逐個回顧演講內容,由于演講內容有不充分的地方,筆者為了讀者易于理解,適當地補充了演講內容。需要說明的是,雖然這是一個說明未來CMOS邏輯技術的講座,但當中卻省略了數個基本的前提:精‌密‍設‌備‍搬‌運‍在28納米一一22納米的世代,芯片晶體管采用的是傳統(tǒng)的平面結構MOS晶體管技術,因此很難繼續(xù)微縮化。到了16/14納米及以后的技術節(jié)點時代,以FinFET為代表的立體結構的MOS晶體管成為了基礎前提。精‌密‍設‌備‍搬‌運‍之前,能否提升MOS晶體管性能(縮短延遲時間、增加ON電流)關系著CMOS邏輯的性能。但是,就大型、高速CMOS邏輯而言,無法忽視金屬排線引起的時間延誤(且越來越大)。對16/14納米世代以后的技術節(jié)點而言,縮短排線引起的時間延誤(或者不延長)對CMOS邏輯的性能提升極其重要。在演講之初,Myung‐Hee Na先生首先展示了CMOS邏輯生產技術的微縮化技術藍圖。時間軸(橫軸)范圍為2011年一一2025年??v軸為用對數表示的單位生產成本(美元單元)下晶體管數量,以2為底數。在2019年的7納米技術之前,幾乎都保持比率,從中也可以看出單位生產本下晶體管數量呈增長趨勢。精‌密‍設‌備‍搬‌運‍以上技術藍圖詳細地說明了MOS晶體管技術的變遷。在28納米技術世代,平面型MOS晶體管導入了HKMG(High-K Metal Gate,高介電常數金屬閘極)技術。16/14納米技術節(jié)點下,晶體管走向3D化,成為了FinFET。后來,FinFET持續(xù)了一段時間。



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