半導體設備裝卸搬運移位定位的亞瑟報道：日前，臺積電日本建廠塵埃落定，精‌密‍設‌備‍搬‌運‍晶圓代工廠的入駐似乎給日本半導體制造業(yè)帶來了新希望。眾所周知，日本半導體產(chǎn)業(yè)的整體實力十分雄厚，材料、設備等領域一直處于位置，然而日本晶圓市場份額卻有些后勁不足。市場研究機構IC Insights數(shù)據(jù)顯示，日本在1990年占據(jù)晶片市場50%，現(xiàn)在市場份額只有6%。精‌密‍設‌備‍搬‌運‍從當初的霸主，到如今守著一畝三分地，日本半導體高光漸逝的背后或許有著各種各樣的原因，但毫無疑問，光刻機就是這位曾經(jīng)在戰(zhàn)役中丟了的馬蹄釘。當前，晶圓制造的工藝離不開EUV光刻機，而這在領域顯然由荷蘭的ASML獨占鰲頭。資料顯示，2020年光刻機總銷售量為413臺。其中ASML銷售258臺占比62%，佳能銷售122臺占比30%，尼康銷售33臺占比8%。這與三四十年前的光刻機格局相比，可以說是截然相反。彼時，尼康和佳能的光刻機業(yè)務曾占據(jù)了市場的50%。1950年代末，美國仙童半導體發(fā)明掩膜版曝光刻蝕技術,拉開了現(xiàn)代光刻機發(fā)展的大幕。那時候的光刻技術不比照相機復雜。60年代末，日本尼康和佳能開始進入這個領域。80年代左右，半導體市場遭遇危機，加之美國的扶持，尼康和佳能抓住發(fā)展大機遇，趁勢崛起，取代GCA、Ultratech 和 P&E三家美國光刻機廠商，一躍成為光刻機市場的主導者。尤其是尼康，憑借著相機時代的積累成為當之無愧的巨頭，代表著當時光刻機的最高水平。1980年，日本尼康發(fā)布光刻機NSR-1010G，精‌密‍設‌備‍搬‌運‍采用i線光源，波長只有g線的80%，拿下了IBM、Intel、TI、AMD等多個大客戶。從 80 年代后期至本世紀初，尼康光刻機市場占有率超50%。而佳能則憑借對準器的優(yōu)勢也占領了一席之地。然而，再強的馬也有失蹄的時候。尼康在光刻機領域一路沖刺，卻在193nm卡了整整二十年。2002年，光刻機領域似乎出現(xiàn)了轉機，但同時也迎來了的干濕路線之爭。時任臺積電研發(fā)副經(jīng)理林本堅提出“沉浸式光刻”方案，即不改變波長，在鏡頭和光刻膠之間加一層光線折射率的介質，比如水，原有的193nm激光經(jīng)過折射，可以直接越過了157nm降低到132nm。當時，以尼康為首的日本廠商選擇延續(xù)以往的“干刻法”，而ASML卻選擇林本堅的“濕刻法”，并搶先一步在2004年就趕出了臺樣機，波長 132nm。雖然尼康很快也推出干式微影157nm技術的成品，但由于時間和波長方面都略遜于對方，因此落了下風。尼康這一落，就至今沒再能趕上ASML。當然，除了技術上的趕超失敗外，當時的美國打壓以及日本半導體企業(yè)原本的運作模式都是壓垮“駱駝”的稻草。997年EUV LLC聯(lián)盟成立，ASML在做出多項讓步后成功入局。EUV LLC聯(lián)盟匯聚了美國的研究資源和芯片巨頭，包括勞倫斯利弗莫爾實驗室、勞倫斯伯克利實驗室、桑迪亞實驗室三大實驗室，聯(lián)合IBM、AMD、摩托羅拉等科技巨頭，集中數(shù)百位科學家，共同研究EUV光刻技術。然而尼康卻被美國以“安全”為由拒之門外，這也成為了尼康掉離光刻機產(chǎn)業(yè)隊伍的重要原因。此外，尼康、佳能等企業(yè)從設計、制造、封測都要自己抓的IDM模式，造就日本半導體產(chǎn)業(yè)高光時刻的同時，也成為了軟肋。用一句來說就是，“成也蕭何，敗也蕭何”。精‌密‍設‌備‍搬‌運‍就目前ASML EUV光刻機而言，可以說是集技術之長。根據(jù)SIA與BCG的研究報告顯示，EUV有100,000個零件，來自美國、英國、西歐、日本等主要幾個區(qū)域或的5,000家供應商。而日本萬事都要自己干的模式，顯然已經(jīng)不能滿足越來越精密的制程需求。