高精密半導體設(shè)備裝卸搬運的亞瑟‌‍精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運‍報道：隨著‌‍精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運‍制程芯片上量（包括邏輯芯片和存儲器），芯片制造端的高技術(shù)含量規(guī)模也在不斷擴大，其中‌‍精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運‍代表性的就是EUV光刻機，市場對其需求在未來幾年將大幅增加。‌‍精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運‍ASML預(yù)期今年EUV設(shè)備出貨量有望達到50臺，這已經(jīng)是一個非?？捎^的數(shù)字了，即使如此，仍然供不應(yīng)求。隨著邏輯芯片及DRAM制程的演進，單片晶圓EUV曝光光罩層數(shù)正在快速提升，其中邏輯制程晶圓2021年EUV曝光層數(shù)平均已超過10層，2023年將超過20層。據(jù)‌‍精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運‍預(yù)估，月產(chǎn)能達4.5萬片的7nm~3nm制程12吋晶圓廠，單片晶圓EUV光罩層數(shù)介于10～20層，EUV光刻機安裝數(shù)量達9～18臺；月產(chǎn)能達10萬片DRAM廠，單片晶圓EUV光罩層數(shù)介于1～6層，EUV光刻機安裝數(shù)量達2～9臺。這些將大量催生對EUV曝光設(shè)備的需求量，2025年之前的EUV光刻機需求將逐年創(chuàng)下新紀錄。顯然，制程芯片龍頭臺積電對EUV光刻機的需求量可以與英特爾做一下比較，到2023年，預(yù)計臺積電共擁有133臺EUV光刻機，而英特爾為20臺。目前，臺積電占行業(yè)EUV設(shè)備安裝基礎(chǔ)和晶圓產(chǎn)量的一半，并計劃通過‌‍精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運‍的3nm和2nm晶圓廠擴大產(chǎn)能。近幾年，臺積電一直在提升EUV設(shè)備采購數(shù)量，今年下半年以來，其5nm產(chǎn)能全開，包括蘋果A15應(yīng)用處理器及M1X／M2電腦處理器、聯(lián)發(fā)科及高通新款5G手機芯片、AMD的Zen 4架構(gòu)電腦及服務(wù)器處理器等將陸續(xù)導入量產(chǎn)。為了維持技術(shù)臺積電由5nm優(yōu)化后的4nm將在明年進入量產(chǎn)，全新3nm也將在明年下半年導入量產(chǎn)，EUV需求量可見一斑。自2018年以來，ASML增加了EUV光刻機的產(chǎn)量，生產(chǎn)了約75臺，據(jù)說臺積電購買了其中的60%。三星方面，其晶圓代工和制程DRAM都需要EUV光刻機，而且數(shù)量逐年遞增，僅次于臺積電。據(jù)統(tǒng)計，三星目前擁有25臺EUV設(shè)備，數(shù)量約為臺積電的一半。‌‍精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運‍為了獲得更多的EUV設(shè)備，2020年10月，三星領(lǐng)導人、副董事長李在镕飛到ASML總部，商討穩(wěn)定采購EUV設(shè)備，據(jù)說訂購了大約20臺。一臺的價格超過200億韓元（1.77 億美元）。根據(jù)‌‍精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運‍三星2019年4月宣布的 Vision 2030，該公司計劃總投資133萬億韓元，希望成為頂級晶圓代工企業(yè)。該公司每年花費10萬億韓元來開發(fā)芯片代工技術(shù)并購買必要的設(shè)備，特別是EUV光刻機，以追趕手臺積電。再來看一下英特爾，前些年，該公司認為EUV工藝不夠成熟，現(xiàn)在EUV光刻工藝已經(jīng)量產(chǎn)幾年了，英特爾開始跟進，其新推出的Intel 4制程將導入EUV光刻機，之后的Intel 3、Intel 20A工藝會持續(xù)導入EUV。2025年之后，該公司的制程工藝規(guī)劃到了Intel 18A，將使用第二代RibbonFET晶體管，EUV光刻機也會有一次重大升級，為此，英特爾表示將部署下一代High-NA EUV，有望率先獲得業(yè)界High-NA EUV光刻機。目前，該公司正與ASML密切合作，確保這一行業(yè)突破性技術(shù)取得成功，超越當前一代EUV。NA表示數(shù)值孔徑，從目前的高值為0.33，今后將提升到0.5，據(jù)悉，ASML的NXE：5000系列將實現(xiàn)這樣的性能，之前預(yù)計是在2023年問世，現(xiàn)在推遲到了2025年，單臺售價預(yù)計將超過3億美元。‌‍精‌密‍設(shè)‌備‍搬‌運‍以上談的是邏輯芯片的生產(chǎn)，在存儲器方面，特別是DRAM，三星和 SK 海力士現(xiàn)在都在其DRAM生產(chǎn)中使用EUV設(shè)備，美光則表示計劃從2024年開始將EUV應(yīng)用于其DRAM生產(chǎn)。