精密儀器設(shè)備搬家-設(shè)備搬運(yùn)的亞瑟報(bào)道：近年來(lái)，‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍因?yàn)閭鹘y(tǒng)的晶體管微縮方法走向了末路，于是產(chǎn)業(yè)便轉(zhuǎn)向封裝尋求提升芯片性能的新方法。例如近日的行業(yè)熱點(diǎn)新聞《打破Chiplet的一道屏障，全新互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)UCIe宣告成立》，可以說把Chiplet和封裝的熱度推向了又一個(gè)新高峰？‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍隨著前端節(jié)點(diǎn)越來(lái)越小，設(shè)計(jì)成本變得越來(lái)越重要。高級(jí)封裝 (AP) 解決方案通過降低成本、提高系統(tǒng)性能、降低延遲、增加帶寬和電源效率來(lái)幫助解決這些問題。‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍性能封裝平臺(tái)是 UHD FO、嵌入式 Si 橋、Si 中介層、3D 堆棧存儲(chǔ)器和 3DSoC。嵌入式硅橋有兩種解決方案：臺(tái)積電的 LSI 和英特爾的 EMIB。對(duì)于Si interposer，通常有臺(tái)積電、三星和聯(lián)電提供的經(jīng)典版本，以及英特爾的Foveros。EMIB 與 Foveros 結(jié)合產(chǎn)生了 Co-EMIB，用于 Intel 的 Ponte Vecchio。同時(shí)，3D 堆棧存儲(chǔ)器由 HBM、3DS 和 3D NAND 堆棧三個(gè)類別表示。‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡(luò)、高性能計(jì)算和自動(dòng)駕駛汽車正在推動(dòng)‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍封裝的采用，以及從技術(shù)角度來(lái)看的演變。今天的趨勢(shì)是在云、邊緣計(jì)算和設(shè)備級(jí)別擁有更大的計(jì)算資源。因此，不斷增長(zhǎng)的需求正在推動(dòng)高性能封裝的采用。據(jù)‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍預(yù)測(cè)，到 2027 年，高性能封裝市場(chǎng)收入預(yù)計(jì)將達(dá)到78.7億美元，高于 2021 年的27.4億美元，2021-2027 年的復(fù)合年增長(zhǎng)率為 19%。到 2027 年，UHD FO、HBM、3DS 和有源 Si 中介層將占總市場(chǎng)份額的 50% 以上，是市場(chǎng)增長(zhǎng)的貢獻(xiàn)者。嵌入式 Si 橋、3D NAND 堆棧、3D SoC 和 HBM 是增長(zhǎng)四大貢獻(xiàn)者，每個(gè)貢獻(xiàn)者的 CAGR 都大于 20%。由于電信和基礎(chǔ)設(shè)施以及移動(dòng)和消費(fèi)終端市場(chǎng)中性能應(yīng)用程序和人工智能的快速增長(zhǎng)，這種演變是可能的。‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍性能封裝代表了一個(gè)相對(duì)較小的業(yè)務(wù)，但對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)產(chǎn)生了巨大的影響，因?yàn)樗菐椭鷿M足比摩爾要求的關(guān)鍵解決方案之一。