上海靜安區(qū)半導(dǎo)體設(shè)備裝卸搬運移入移出-上海虹口區(qū)精密儀器設(shè)備裝卸搬運的亞瑟報道：據(jù)‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍報導(dǎo)，一家俄羅斯研究單位正在研究開發(fā)自己的半導(dǎo)體微影光刻設(shè)備，預(yù)計該設(shè)備可以被用于7納米制程芯片的生產(chǎn)上。整個計劃預(yù)計在2028年完成，而且一旦完成之后，其設(shè)備可能會比ASML的Twinscan NXT:2000i效能更高。值得一提的是，ASML開發(fā)Twinscan NXT:2000i的時間超過了10年。‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍報導(dǎo)表示，俄羅斯政府推出了一項‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍計劃，到2030年開發(fā)出自己的28納米制程技術(shù)，并盡可能利用外國芯片進(jìn)行逆向工程取得技術(shù)，同時也要培養(yǎng)本土人才從事國產(chǎn)芯片的生產(chǎn)工作。根據(jù)俄羅斯所發(fā)表的計劃，俄羅斯科學(xué)院下屬的俄羅斯應(yīng)用物理研究所（Russian Institute of Applied Physics，IAP）預(yù)期，到2028年研發(fā)且量產(chǎn)出具有7納米制造能力的微影光刻設(shè)備。‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍報導(dǎo)指出，俄羅斯即將開發(fā)量產(chǎn)的設(shè)備，將與ASML或NIKON等公司生產(chǎn)的微影光光設(shè)備有所不同。例如，IAP計劃使用大于600W的光源，曝光波長為11.3nm（EUV波長為13.5納米），這將需要比現(xiàn)在更復(fù)雜的光學(xué)元件。由于該設(shè)備的光源功率相對較低，這將使該工具體積更緊湊，因此更容易制造。然而，這也意味著其微影光刻設(shè)備的芯片產(chǎn)量將大大低于現(xiàn)代深紫外（DUV）微影光刻設(shè)備。但I(xiàn)AP表示，這將不會是問題。‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍就現(xiàn)階段來說，32納米以下的制程技術(shù)，制造商目前主流采用的是所謂的沉浸式微影光刻設(shè)備。ASML于2003年底推出了其‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍沉浸式微影光刻設(shè)備-Twinscan XT:1250i，并在2004年第三季交貨一臺設(shè)備，用以生產(chǎn)65納米邏輯芯片和70納米等級的DRAM。之后，該公司花了大約5年時間，于2008年底宣布推出之支援32納米的Twinscan NXT:1950i，沉浸式微影光刻設(shè)備，并于2009年開始向客戶交貨。以上說明，代表當(dāng)前的技術(shù)‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍者ASML大約花了9年的時間，才在2018年交貨其支援7納米和5納米制程的Twinscan NXT:2000i DUV微影光刻設(shè)備。再從ASML的產(chǎn)品發(fā)展歷程來看，從65納米制程發(fā)展到7納米制程，總計用了14年的時間。‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍現(xiàn)在，在芯片生產(chǎn)方面沒有任何經(jīng)驗或與芯片制造商沒有任何聯(lián)系的俄羅斯IAP，打算在大約6年的時間里從頭開始制造一套支援7納米制程的微影光刻設(shè)備，并進(jìn)一步進(jìn)行量產(chǎn)，雖然這個計劃聽起來實在不太可行，但看起來IAP卻是充滿了熱情。根據(jù)發(fā)展時程，IAP計劃在2024年之前建造一個功能齊全的首代微影光刻設(shè)備。這個微影光刻設(shè)備不必提供高生產(chǎn)率‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍能運作，使其對潛在投資者有吸引力。之后，IAP打算在2026年之前制造出具有更高生產(chǎn)力和解析度的微影光刻設(shè)備的測試版。這時這套機(jī)器應(yīng)該要可以量產(chǎn)晶圓，但預(yù)計其生產(chǎn)力不會達(dá)‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍。至于，俄羅斯規(guī)劃的微影光刻設(shè)備終極版本將在2028年問世，其不但要能獲得高性能光源，并且具有‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍的計算量測和整體能力。不過，目前尚沒有公布IAP與其生產(chǎn)合作伙伴將要生產(chǎn)多少套此類設(shè)備