上海潔凈室精密設(shè)備搬移|半導(dǎo)體SMT設(shè)備搬運(yùn)|半導(dǎo)體設(shè)備搬運(yùn)移位定位的亞瑟報(bào)道：絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）器件內(nèi)部通過并聯(lián)大量芯片保證其關(guān)斷能力，當(dāng)并聯(lián)芯片的參數(shù)分散性較大時(shí)，器件的關(guān)斷能力會(huì)不可避免的退化。因而，研究 IGBT 器件關(guān)斷能力提升的參數(shù)篩選方法非常重要。為此，本文首先分析了并聯(lián)兩 IGBT 芯片關(guān)斷失效的特征及關(guān)鍵的影響因素，并‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍給出了并聯(lián) IGBT 芯片動(dòng)態(tài)閂鎖失效的電壓電流波形。波形表明，關(guān)斷重分配的電流不均令并聯(lián)芯片在關(guān)斷時(shí)承受不同應(yīng)力，從而導(dǎo)致 IGBT 器件的關(guān)斷能力退化。此外，上述過程受芯片閾值電壓，轉(zhuǎn)移特性曲線等諸多參數(shù)影響，因此需要通過多參數(shù)篩選以提升器件的關(guān)斷能力。所以，本文總結(jié)了 300 組芯片并聯(lián)關(guān)斷的實(shí)驗(yàn)結(jié)果，研究了并聯(lián)芯片參數(shù)差異與關(guān)斷均流的關(guān)系，并提出聯(lián)芯片的關(guān)斷均流的參數(shù)篩選方法，從而提升器件的關(guān)斷能力。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，通過篩選柵極閾值電壓、轉(zhuǎn)移特性曲線以及等效跨導(dǎo)可以有效保證芯片在 1.8 倍額定電流下的關(guān)斷電流差峰值小于 10%，驗(yàn)證了所提方法的有效性。‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT）器件作為全控型電壓驅(qū)動(dòng)的電力電子器件，已經(jīng)被廣泛的應(yīng)用于軌道交通、航空航天和電力系統(tǒng)等諸多領(lǐng)域。作為能量轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵設(shè)備，IGBT 器件的失效問題及其失效特征一直是器件研究‌‌半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運(yùn)‍尤其是 IGBT 器件的感性負(fù)載關(guān)斷失效，其失效工況接近于器件實(shí)際運(yùn)行工況，近 20 年，已有諸多機(jī)構(gòu)和學(xué)者對(duì)其開展了廣泛而深入的研究。與此同時(shí)，考慮到單顆 IGBT 芯片的通流能力有限，在工程實(shí)際中，往往將多顆 IGBT芯片或 IGBT 子模組并聯(lián)成器件使用。但是，由于并聯(lián) IGBT 芯片間封裝參數(shù)、芯片參數(shù)等不同，并聯(lián)芯片間理想的均流是難以實(shí)現(xiàn)的。這會(huì)進(jìn)一步導(dǎo)致并 IGBT 器件的關(guān)斷能力退化，嚴(yán)重危害器件的安全穩(wěn)定運(yùn)行。