半導(dǎo)體設(shè)備搬運搬遷捆包運輸?shù)膩喩獔蟮溃?/span>幾十年來，半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍NAND-Flash 一直是低成本和大密度數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用的主要技術(shù)。這種非易失性存儲器存在于所有主要的電子終端市場，例如智能手機、服務(wù)器、PC、平板電腦和 USB 驅(qū)動器。在傳統(tǒng)的計算機內(nèi)存層次結(jié)構(gòu)中，NAND-Flash 位于離處理器 (CPU) 遠的位置，半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍與靜態(tài)隨機存取存儲器 (SRAM) 和動態(tài) RAM（動態(tài)隨機存取存儲器）相比，它相對便宜、速度慢且密集。閃存領(lǐng)域的重要性體現(xiàn)在其在半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍半導(dǎo)體資本支出(capex) 中的可觀份額，數(shù)據(jù)顯示，其約占了整個半導(dǎo)體市場支出的三分之一。它的成功與其不斷擴展存儲密度和成本的能力有關(guān)——這是 NAND 閃存技術(shù)發(fā)展的主要驅(qū)動力。大約每兩年，NAND-Flash 行業(yè)就能夠大幅提高位存儲密度，以增加 Gbit/mm 2表示。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍在此過程中，行業(yè)也已經(jīng)引入了多項技術(shù)創(chuàng)新來保持這一趨勢線。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍NAND 閃存單元都以平面配置排列，使用浮柵晶體管為他們的記憶操作。浮柵晶體管由兩個柵極組成：浮柵和控制柵。浮柵與晶體管結(jié)構(gòu)的其余部分隔離，通常由多晶硅制成?？刂崎T是“普通”晶體管門。存儲單元的寫入是通過向控制柵極施加脈沖來完成的，該脈沖基于隧道機制迫使電子進入（或離開）浮柵。半‍導(dǎo)‌體‍設(shè)‌備‍搬‌運‍電荷的存在（或不存在）會改變晶體管的閾值電壓，這種變化稱為內(nèi)存窗口（memory window）。因此，信息被編碼在浮柵晶體管的閾值電壓中，并通過測量漏極電流來完成讀取。存儲在隔離柵極中的電荷長時間保持不變，使存儲器具有非易失性特性。20 多年來，浮柵一直是 2D-NAND 的常用方法，盡管其結(jié)構(gòu)相當復(fù)雜，但仍可提供可靠的操作。通過減小浮柵單元的尺寸，可以提高位存儲密度。然而，2D-NAND 縮放在大約 15nm 半間距處（half pitch）飽和，主要是因為陣列可靠性和靜電干擾問題 。